회사소개 페이지의 Key Viusal 이미지입니다. 세 명의 임직원이 정문을 통과하여 로비로 들어서는 모습입니다.

회사소개

당신의 성장이 세상의 혁신으로 이어지는 곳,
삼성전자 반도체

오늘의 삼성전자 반도체를 이룬 힘은
새로운 미래를 향한 구성원들의 끝없는 혁신에서 비롯되었습니다.

우리는 개개인의 성장과 발전이 곧 회사의 성장이며
더 나아가 새로운 세상으로 이끄는 힘이라고 확신합니다.

당신이 가슴 뛰는 일을 찾을 수 있는 곳,
당신의 상상이 혁신의 씨앗이 되는 곳,
서로를 존중하며 그 속에서 더 큰 성장을 이루어 내는 곳,

삼성전자 반도체에서 당신의 내일을 만들어 보세요.

대한민국의 기술력으로 세계를 제패하다

점차 치열해지는 미래 경쟁 속에서 모방이 아닌 혁신으로 매번 우리가 세운 신기록을 갱신하는 DS부문은 산업의 쌀, 반도체로 대한민국 GDP의 3%를 책임지며 미래 먹거리를 창출하고 있습니다.

  • 1992

    64Mb DRAM 개발

  • 1994

    256Mb DRAM 개발

  • 1999

    1GHz CPU 개발

  • 2003

    4Gb NAND Flash 개발

  • 2006

    512Mb DDR2 DRAM 개발

  • 2007

    64Gb NAND Flash 개발

  • 2009

    30nm NAND Flash 양산

  • 2010

    30nm급 DRAM 양산

  • 2010

    20nm급 NAND Flash 양산

  • 2011

    20nm급 DRAM 양산

  • 2013

    Octa Core AP 출시

  • 2013

    3차원 V-NAND 양산

  • 2014

    20nm 4Gb DDR3 DRAM 양산

  • 2014

    2세대 V-NAND 양산

  • 2015

    8Gb GDDR5 DRAM 양산

  • 2015

    3세대 V-NAND 양산

  • 2015

    14nm 모바일 AP 양산

  • 2015

    1.0μm ISOCELL 적용 CIS양산

  • 2016

    10nm급 DDR4 DRAM 양산

  • 2016

    4세대 V-NAND 양산

  • 2018

    5세대 V-NAND 양산

  • 2021

    2억화소 ISO Cell 출시

  • 2022

    8세대 236단 V-NAND 양산

  • 2022

    3nm 공정기반의 파운드리 양산

  • 2023

    12나노급 32Gb DDR5 개발

  • 2024

    2024 12단 36GB HBM3E 개발

Inspire the World,
Create the Future

글로벌 반도체 시장의 정상을 유지해 온 DS부문의 기술력과 제조 노하우를 바탕으로 Digital Enabler로서 차세대 기술 혁신을 주도할 것입니다.

Global operations

세계 각지에 건설된 삼성전자 DS부문 사업장의 위치가 세계지도에 표기되어 있습니다. 한국 5개, 유럽 3개, 중동 1개, 동남아시아 1개, 서남아시아 1개, 중국 6개, 일본 1개, 북미 5개 사업장이 보여집니다.
한국 내 건설된 삼성전자 DS부문 사업장의 위치가 한국 지도에 표기되어 있습니다.

History

  • 1970s~1980s
    • 1974

      반도체 사업 진출

    • 1983

      기흥사업장 생산라인 가동,
      메모리 사업 진출

    • 1983

      64Kb DRAM 자체 개발 성공

  • 1990s
    • 1992

      세계 최초 64Mb DRAM 개발

    • 1994

      세계 최초 256Mb DRAM 개발

    • 1998

      미국 오스틴 사업장 준공

      국내 최초 근무복 자율화 실시

  • 2000s
    • 2000

      화성사업장 생산라인 준공

    • 2002

      종합반도체 세계 시장점유율 2위 달성

    • 2003

      Flash 메모리 시장점유율 1위 달성

    • 2006

      미국 내 특허 취득 건수 2위 달성

  • 2010s
    • 2013

      세계 최초 3차원 V-NAND 양산

    • 2014

      중국 시안사업장 준공

    • 2015

      자체 개발 CPU/모뎀 탑재 ModAP 출시

      세계 최초 1.0µm 초소형 CIS 양산 (ISOCELL 기술 적용)

    • 2016

      세계 최초 10nm급 8Gb DDR4 DRAM 양산

    • 2017

      평택사업장 준공

      Foundry 사업부 출범

  • 2020s~
    • 2020

      DITAI센터 출범

    • 2021

      AI 메모리반도체 개발

      2억화소 ISO Cell 출시

    • 2022

      세계 최초 3나노 공정기반의 파운드리 양산

    • 2023

      12나노급 32Gb DDR5 세계 최초 개발