회사소개

세상을 바꾸는 꿈을 꾸다
Dream in Samsung

새로운 미래는 도전에서 시작합니다.
삼성전자가 반도체 사업에 뛰어들었을 때 모두가 할 수 없다고 말했습니다.
하지만 반도체인들은 안 된다는 생각을 버리고, “할 수 있다”는 생각, 끊임없는 연구, 그리고 도전을 통해 반도체 산업을 이끌어가며 새로운 역사를 만들어가고 있습니다.

대한민국의 기술력으로 세계를 제패하다

점차 치열해지는 미래 경쟁 속에서 모방이 아닌 혁신으로 매번 우리가 세운 신기록을 갱신하는 DS부문은 산업의 쌀, 반도체로 대한민국 GDP의 3%를 책임지며 미래 먹거리를 창출하고 있습니다.

1992
64Mb DRAM 개발
1994
256Mb DRAM 개발
1999
1GHz CPU 개발
2003
4Gb NAND Flash 개발
2006
512Mb DDR2 DRAM 개발
2007
64Gb NAND Flash 개발
2009
30nm NAND Flash 양산
2010
30nm급 DRAM 양산
2010
20nm급 NAND Flash 양산
2011
20nm급 DRAM 양산
2013
Octa Core AP 출시

2013
3차원 V-NAND 양산
2014
20nm 4Gb DDR3 DRAM 양산
2014
2세대 V-NAND 양산
2015
8Gb GDDR5 DRAM 양산
2015
3세대 V-NAND 양산
2015
14nm 모바일 AP 양산
2015
1.0μm ISOCELL 적용 CIS양산
2016
10nm급 DDR4 DRAM 양산
2016
4세대 V-NAND 양산
2018
5세대 V-NAND 양산
2021
2억화소 ISO Cell 출시

Inspire the World,
Create the Future

글로벌 반도체 시장의 정상을 유지해 온 DS부문의 기술력과 제조 노하우를 바탕으로 Digital Enabler로서 차세대 기술 혁신을 주도할 것입니다.

Global operations

세계 각지에 건설된 삼성전자 DS부문 사업장의 위치가 세계지도에 표기되어 있습니다. 한국 5개, 유럽 3개, 중동 1개, 동남아시아 1개, 서남아시아 1개, 중국 6개, 일본 1개, 북미 5개 사업장이 보여집니다.

한국 내 건설된 삼성전자 DS부문 사업장의 위치가 한국 지도에 표기되어 있습니다.

History

1970s~1980s
- 1974
  
  반도체 사업 진출
- 1983
  
  기흥사업장 생산라인 가동,
  메모리 사업 진출
- 1983
  
  64Kb DRAM 자체 개발 성공
1990s
- 1992
  
  세계 최초 64Mb DRAM 개발
- 1994
  
  세계 최초 256Mb DRAM 개발
- 1998
  
  미국 오스틴 사업장 준공
  
  국내 최초 근무복 자율화 실시
2000s
- 2000
  
  화성사업장 생산라인 준공
- 2002
  
  종합반도체 세계 시장점유율 2위 달성
- 2003
  
  Flash 메모리 시장점유율 1위 달성
- 2006
  
  미국 내 특허 취득 건수 2위 달성
2010s
- 2013
  
  세계 최초 3차원 V-NAND 양산
- 2014
  
  중국 시안사업장 준공
- 2015
  
  자체 개발 CPU/모뎀 탑재 ModAP 출시
  
  세계 최초 1.0µm 초소형 CIS 양산 (ISOCELL 기술 적용)
- 2016
  
  세계 최초 10nm급 8Gb DDR4 DRAM 양산
- 2017
  
  평택사업장 준공
  
  Foundry 사업부 출범
2020s~
- 2020
  
  DIT센터 출범
- 2021
  
  AI 메모리반도체 개발
- 2021
  
  2억화소 ISO Cell 출시